1.Ugs对导电沟道的控制
①当Ugs=0
由于SiO2绝缘层中含有正电荷，所以衬底靠近绝缘层的区域会形成导电沟道
②当Ugs＞0
当Ugs电压增大，栅极汇集正电荷，对自由电子的吸引增强，导电沟道变宽
③当Ugs＜0
栅极会聚集负电荷，抵消部分正离子作用，导电沟道变窄
④当Ugs=Ugs(off)
栅极负电荷与正电荷作用相互抵消，导电沟道消失
2.Uds对六级电流id的影响
①当Ugs＞Ugs(off)，且Uds=0时
因为Ugd=Ugs-Uds
Ugs=Ugs＞Ugs(off)
所以gd,gs均导通。但是Uds=0，所以漏极电流id=0。
②当Ugs＞Ugs(off)，且Uds逐渐增大时
因为Ugd=Ugs-Uds
所以随着Uds增大，Ugd会逐渐减小，漏极的导电沟道会变窄
但是只要Ugs保持不变，沟道电阻就不会发生变化。
源极电流id随着Uds增大而增大，d-s呈现电阻特性。
③当Ugs＞Ugs(off)，且Uds=Ugs-Ugs(off)时
因为Ugd=Ugs-Uds
Ugs=Ugs(off)
所以此时，漏极导电沟道预夹断
④当Ugs＞Ugs(off)，且Uds＞Ugs-Ugs(off)时
因为Ugd=Ugs-Uds
Ugs＜Ugs(off)
所以此时，漏极导电沟道已夹断，随着Uds电压增加，夹断区逐渐加长
⑤当Ugs＞Ugs(off)，且Uds＞Ugs-Ugs(off)时
Uds 增大会造成两个方面：
♣：d-s电压增大，id增大。
♣：夹断区边长，d-s电阻增大，id减小。
以上两个方面造成id恒流，与Uds无关，仅仅取决于Ugs。
